碳化硅晶圓老化系統 WLR075S-蘇州聯訊儀器股份有限公司

晶圓級老化

WLBI075S

HTGB晶圓老化系統

WLBI075S晶圓老化系統最多配置16個老化大單層，每個老化大單層支持6&8寸晶圓，每個晶圓同時進行最大1500個產品的HTGB老化，支持系統中Igss和Vth的測試，能廣泛的應用在功率半導體特性，GaN、SiC表征，復合材料，晶元工藝等測試和研究領域。

手冊CN

手冊EN

申請樣機

特點

同時支持HTGB
相比 GB&RB 兼容，這個有更高的容量
Vgs(th)測試功能
可以在老化過程中切換為
Vth測試，單顆產品測試
實時監控柵極電流
及時發現產品異常，記錄異常時的數據
電流最小測量分辨率可達0.1nA
精確測量漏電流
GB電壓最高75V
為后續工藝優化留Buffer
監控電流采樣速率
1024顆產品輪詢在1分鐘以內
產品異常保護功能
有柵極保護電路，短路時可以關閉輸出
加熱功率，溫控精度
支設計加熱功率200W，＞120 ℃溫度均勻性±3 ℃；＜120 ℃溫度均勻性±2 ℃，溫度準確性<1 ℃、分辨率0.1 ℃

功能與優勢

夾具，單層抽屜和整機結構
碳化硅晶圓老化系統WLR075S 分為夾具，單層抽屜和整機結構，每層可以獨立運行

夾具分為探針卡和熱沉兩個部分，通過Aligner設備將晶圓和組合起來，放到老化系統進行老化
單層抽屜設計
每層電路獨立控制，可以實現不同單層工作在不同模式，可以通過調用老化Plan進行不同的老化驗證

柵極電壓源指標
電壓設置精度	量程	設置分辨率	精度(1年) ±(%讀數+偏置)
	±75 V	10 mV	0.1%+0.2 V
	±20 V	5 mV	0.1%+0.1 V
過沖	<1% (典型值)
總功率	30 W
通道數量	1（每個老化大單層）
柵極電壓表指標
電壓表顯示精度	量程	顯示分辨率	精度(1年) ±(%讀數+偏置)
	±75 V	10 mV	0.1%+0.2 V
	±20 V	5 mV	0.1%+0.1 V
通道數量	1（每個老化大單層）
柵極電流表指標
電流顯示精度	量程	顯示分辨率	精度(1年) ±(%讀數+偏置)
	10 μA	500 pA	0.1% + 50 nA
	1μA	50 pA	0.1% + 5 nA
	100 nA	10 pA	0.1% + 0.5 nA
通道數量	12路（125路一個表）

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