SiC KGD測試機-蘇州聯訊儀器股份有限公司

SiC 功率器件迅速發展

功率半導體是電子裝置電能轉換與電路控制的核心，本質上，是通過利用半導體的單向導電性實現電源開關和電力轉換的功能，無論是水電、核電、火電還是風電，甚至各種電池提供的化學電能，大部分均無法直接使用，需由功率半導體器件進行功率變換以后才能供設備使用。功率半導體的具體用途是變頻、變相、變壓、逆變、整流、增幅、開關等，相關產品具有節能的作用，被廣泛應用于汽車、通信、消費電子和工業領域。

SiC 基功率器件在大功率應用場景具備天然優勢，以 SiC 為代表的第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優勢，因此采用 SiC 制備的半導體器件在高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等應用領域優勢獨特。

Yole預測，受新能源汽車和光伏領域應用的強烈推動，SiC功率器件市場規模將從2021 年的 10.90 億美元增至 2027 年的 62.97 億美元，CAGR 達 34%。

Known Good Die 測試

KGD(Known Good Die)通過老化/測試等方法，將與前工序生產有關的失效、缺陷隱患的芯片(芯粒、籽芯、管芯)及早剔除在封裝之前，提高封裝后良率以及滿足高密度多芯片封裝，減少生產費用與時間，加快產品盡快推向上市。

聯訊儀器SiC KGD測試機 PB6200&PT6200

● 全自動測試，支持晶圓、Tape&Reel上料與下料

● 支持多工位并行測試，不同工位支持不同溫度與測試項目

● 支持靜態、動態、雪崩功能測試，且測試順序可調

● 支持高溫測試，溫度范圍：室溫~200°C

● 支持高溫預熱與芯片表面防氧化保護

● 加電針卡為密封設計，支持充氮氣保護防高壓打火與氮氣壓力監測

● 更高測試效率，測試UPH>1000pcs

PB6200&PT6200

主要技術指標

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