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        激光器測試

        CT8203

        低溫芯片測試機


        聯訊儀器 低溫芯片測試機 CT8203 是針對半導體LD激光器在低溫、常溫下進行的光電特性LIV掃描測試、光譜掃描測試參數測試。系統為雙溫區結構設計,一個產品可連續測試兩個溫度。系統主要由晶圓供給區、芯片搬運區、芯片位置校正區、芯片OCR提取區、芯片測試區、芯片收納區共六部分組成。系統集成了從晶圓環上料、運輸、DUT ID掃描、高/低溫測試、下料、分揀歸類。

        CT8203 支持激光器前向/后向光電測試以及前向光光譜測試。支持兩個溫區測試:兩個測試平臺以支持低溫/常溫并行測試。

        CT8203 測試效率非常高,可以在6.5s(1次LIV+3次光譜)內完成上述6個流程。非常適合大批量量產應用。系統采用偏心凸輪結構、高精度直線電機、高重復性步進電機計、高精密夾具、高穩定性加電探針以及高導熱載臺,使其具有超高的精度和穩定性。



        特點

        • 全自動化、智能化集成解決方案

          高度集成全自動化解決方案,覆蓋非常復雜的測試流程
        • 高效率

          提升效率,減少人為參與的潛在風險
          自動切換準直光纖和大面積光電探測器
          測試后自動分揀DUT
        • 維護升級非常簡單

          所有機構件可以獨立返廠
        • 方便使用

          自動告警狀態和提示顯示,
          所有儀器、測試計劃、通過/失敗標準都可以非常方便進行配置

        功能與優勢

        • 全自動化、智能化集成解決方案


        • 上料模組

          本模組由頂針Z模組,X/Y運動模組,藍膜旋轉模組4個子功能模塊組成,左側為校準用底部相機,搭配上方識別相機,和吸嘴運動模組,實現Chip 的取料功能。

          Chip包裝的兼容模式: 1個6寸擴晶環。


        • 高/低溫測試模組

          本模組由直線運動模組實現Chip XYθ三個自由度的校準,3軸收光探測模組組成,搭配模組上方的ID/位置識別相機,和探針加電調整模組,完成上料后位置角度的校準工作,和Chip測試加電工作。PD/準直器使用運動軸實現功能快速切換。

          測試臺溫度可根據工藝獨立設定,溫度穩定性<±0.2℃。


        • 相機、探針加電模組

          設備右側上料相機搭配上料模組,完成Chip的上料識別功能(可根據來料需求搭配不同功能組件),測試模組上方的相機(設備中部),在Chip的上料動作完成后,通過多次拍照搭配3軸運動模組,完成Chip的位置校準(相機同步完成 Chip的ID識別)。

          探針加電模組,每組搭配最多3組探針(可選配背光PD子功能模組),不同組合搭配,可實現DFB / EML、EML+SOA產品的 LIV、EA、光譜等相關參數的測試。


        • 下料分檔模組

          下料模組配置4個載盤放置區域,可支持4個6寸藍膜,或者根據客戶需求定制兼容的下料載具。

        參數類型 參數名稱 參數指標
        系統功能 支持產品類型 兼容客戶指定的DFB、EML以及EML+SOA Die測試(根據DFB與EML腔長尺寸差異,測試載臺可選擇兼容或不兼容)
        測試項目 激光器前光與背光LIV,EML消光比與光譜測試
        測試溫區數 2個溫區
        ID識別 支持Chip ID識別
        芯片尺寸

        長&寬≥150 μm,高≥80~150 μm

        吸嘴結構 特殊設計的吸嘴結構,先從料盒剝離,然后吸起
        測試參數 Ith, Se, Iop, Pf, Vf,I r, PKink, Ikink, Rd, Pmax, IRoll, ER,λc, SMSR 等近百項參數,可根據需求進行增刪
        上料料盒 支持1個6英寸藍膜
        下料料盒 支持4個6英寸藍膜
        下料分檔 根據識別和測試結果將物料分類,物料分類條件可根據客戶需求在軟件進行編輯
        CDA要求 >600 L/min(如果小于此流量將影響降露點速度)
        電參數 源表類型聯訊自研高精度源表或其他指定類型
        源表數量 DFB激光器3臺雙通道源表,EML激光器4臺雙通道源表,EML+SOA激光器5臺雙通道源表
        加電類型 支持CW與Pulse方式加電
        DC電流源范圍 3A, 1A, 100mA, 10mA, 1mA, 100μA
        最小電源分辨率 20μA, 5μA, 500nA, 50nA, 5nA, 500pA
        最小測量精度 0.03%+50 nA
        DC電壓源范圍 30V, 10V, 1V
        電壓分辨率 100μV, 10μV, 1μV
        最小電壓測量精度 0.02%+1 mV
        最小脈寬 250 μs
        正常操作下沖 沒有EOS
        正常操作上沖 沒有EOS
        異常操作下沖 沒有EOS
        異常操作上沖 沒有EOS
        光參數 探測器類型 Ge
        光功率探測波長范圍 800-1700 nm
        光功率測量范圍 10 μW-25 mW(>25 mW可增加衰減片測量)
        光譜測試波長范圍 客戶提供光譜儀或橫河AQ6360
        光譜測試精度 客戶提供光譜儀或橫河AQ6360
        EA DCER精度 ±0.2 dB
        溫度 控溫方法 TEC+水冷(帶露點監控,露點可到-70℃以內)
        溫度范圍 -40~95 ℃
        溫度升溫速度 室溫升到90℃ < 5分鐘
        溫度下降速度 室溫降到-40℃ < 10分鐘
        溫度精度 ±0.5 ℃
        溫度穩定性 ±0.2 ℃
        系統指標 Ith重復性 ±1%
        Power重復性 ±2%
        波長重復性 <±0.2 nm
        SMSR 重復性 <3 dB
        ID識別一次成功率 >99.5%
        測試時間 6.5 s內完成所有操作(EML芯片根據測試項目不同會有差異)

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