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      2. Site Map

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        功率芯片測試

        PB6200

        KGD測試分選系統


        聯訊儀器 PB6200 KGD測試分選系統主要應用于功率芯片Die級靜態與動態測試,以實現對芯片性能指標的篩選,提高封裝后模塊端的成品良率。測試項目、測試條件以及測試參數可根據客戶要求配置對應規格測試機,支持定制化開發。系統支持Frame Ring來料與出料。



        特點

        • 設計靈活設計

          Handler部分(PB6200)與測試部分分離,可擴展性強
        • 多路并行測試

          最多支持2個測試站,不同測試站支持不同測試條件與測試項目
        • 支持動靜態參數測試

          支持 2000V/200A 靜態測試,1200V/1000A 動態測試
        • 溫度均勻性高

          均勻性±0.5℃,準確性<0.5℃,分辨率 0.1℃

        功能與優勢

        • 運動整體架構

          產品應用

          聯訊儀器PB6200 KGD測試分選系統設計用于功率芯片SiC靜態&動態參數測試,支持Frame Ring上料包裝形式. 系統測試溫度范圍大,支持常溫到高溫200℃。為了解決高壓防打火問題,加電針卡為密封設計,測試過程中測試針卡內可充氮氣進行防打火保護。測試針卡采用特殊材料與專業設計,通流能力大,針痕可控,確保測試穩定性與測試精度。測試完成后支持下料分Bin,分Bin方式支持定制化選擇,比如生成Mapping或分不同Bin區域。
        • 針卡設計


        參數 指標
        適用產品 SiC 芯片
        圓片尺寸 4寸,6寸 ,8寸
        靜態參數 Vds,Vth,Idss,Igss,Rds(on),Vsd
        動態參數 Eas,Rint,Ciss,Coss,Crss,Eoss
        開關參數 Isc,Td(on),Tr,Tf(off),Tf,Eon,Eoff,Trr,Qrr,Irrm
        系統功耗 <10kW
        氮氣保護 >0.6mPa接入
        溫度范圍 常溫~200℃
        AC測試位數量 支持定制測試工位數量
        DC測試位數量 支持定制測試工位數量
        電流電壓過沖 任何情況下沒有過沖
        MES對接 支持MES對接


        通用指標和軟件

        參數 指標
        工作溫度 15-30℃
        存儲溫度 -10-50℃
        工作濕度 40-70%
        存儲濕度 <90%
        工作海拔 0-2km
        供電功率 200-240 VAC,30 A,50-60 Hz
        電磁兼容 滿足歐盟EMC標準
        安全 滿足歐盟安全標準
        認證 CE認證
        軟件系統 Windows
        軟件語言環境 VS/C#


        軟件功能

        測試計劃編輯,測試條件和參數Spec設置,芯片描述,
        MES接口,測試數據管理和分析,校準維護,故障診斷


        技術指標

        靜態參數測試列表

        測試類型 項目 說明





        靜態測試參數

        Vds Drain - Source Voltage
        Vth Gate Threshold Voltage
        Idss Zero Gate Voltage Drain Current
        Igss Gate-Source Leakage Current
        Rds(on) Drain-Source On-State Resistance
        Vsd Diode Forward Voltage


        動態測試參數列表

        測試類型 項目 說明





        Characteristics

        Eas Avalanche Energy
        Rint Gate Input Resistence
        Ciss Input Capacitance
        Coss Output Capacitance
        Crss Reverse Transfer Capacitance
        Eoss Coss Stored Energy








        AC Characteristics

        Isc Short-circuit Current
        Td(on) Turn-On Delay Time
        Tr Rise Time
        Tf(off) Turn-Off Delay Time
        Tf Fall Time
        Eon Turn Off Switching Energy
        Eoff Fall Time
        Trr Reverse Recovery Time
        Qrr Reverse Recovery Charge
        Irrm Peak Reverse Recovery Current


        動態測試設備參數

        BUS Voltage Ranges Accuracy (%FS)
        2000V ±2%
        Gate Voltage Ranges Accuracy (%FS)
        30V ±5%
        Current Ranges Accuracy (%FS)
        Switching current:10A-200A ±5%
        Short circuit current :1000A ±5%
        Waveform Sample Setting
        4通道 8--16bit 1Gsps Max

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