WLR3500 碳化硅高壓晶圓老化系統-蘇州聯訊儀器股份有限公司

晶圓級可靠性

WLR3500

碳化硅高壓晶圓老化系統

碳化硅高壓晶圓老化系統WLR3500 設計用于一次進行6個晶圓的單次HTGB和HTRB老化，可以自動切換老化條件，可以對每個die進行Vth的測試，根據不同配置需求滿足不同成本要求，給客戶進行可配置的研發應用和高容量生產應用，老化時間可以從幾分鐘到幾十個小時，甚至幾千小時，每通道單獨的過電流保護來保護被測器件，可以提供MAP數據用于分析。

手冊CN

手冊EN

申請樣機

特點

支持多種晶圓老化
支持SiC，GaN晶圓產品的老化
高精度參數測試
支持參數測試Idss、Igss、Vth
高溫高濕可靠性
恒IDS/ICE控制老化功能
高精度漏電流測試
最高精度漏電流分辨率可以到0.1nA
氮氣保護
支持氮氣保護，防止高壓打火和PAD氧化
過流保護
過流保護，短路電流瞬時響應<100nS
高耐溫設計
抽屜加熱相關耐200度設計
溫度均勻性高
均勻性±2℃，準確性<1℃，分辨率0.1℃

功能與優勢

夾具，單層抽屜和整機結構

WLR3500晶圓老化機分為夾具、單層抽屜和整機結構，每層可以獨立運行。

夾具分為Chuck和Probe兩個部分，通過Aligner設備將晶圓和組合起來，放到老化系統進行老化。
單層抽屜設計
每層電路獨立控制，可以實現不同單層工作在不同模式，可以通過調用老化Plan進行不同的老化驗證

參數	指標
適用產品	GaN,SiC Wafer
適用封裝	4寸，6寸 Wafer
老化參數	HTGB,HTRB
測試參數	Igss,Idss,Vth,Rdson
系統尺寸(mm)	2100(W)X1900(H)X1800(D)
系統功耗	<32kW
氮氣保護	>0.6mPa接入
溫度范圍	常溫-200℃
電壓范圍	柵極±75V，源極2000V
系統通道	720
系統層數	6層
電流電壓過沖	任何情況下沒有過沖
MES對接	支持MES對接

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