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        激光器測試

        CT8201

        常高溫芯片測試機


        聯訊儀器 常高溫芯片測試機 CT8201 是針對半導體DFB或EML激光器在常溫、高溫兩個不同溫度下進行的光電特性LIV掃描測試、EA掃描測試、光譜掃描測試。系統主要由晶圓供給區、芯片搬運區、芯片位置校正區、芯片OCR提取區、芯片測試區、芯片收納區共六部分組成。系統集成了從晶圓環上料、運輸、DUT ID掃描、常/高溫測試、下料、分揀歸類。
        聯訊儀器 CT8201 支持激光器前向、后向光電測試以及前向光光譜測試。支持兩個溫區測試:兩個測試平臺以支持高溫/常溫測試。
        CT8201 測試效率非常高,可以在5.5s(EML激光器根據測試項目不同效率會有增加)內完成上述6個流程。非常適合大批量量產應用。系統采用偏心凸輪結構、高精度直線電機、高重復性步進電機計、高精密夾具、高穩定性加電探針以及高導熱載臺,使其具有超高的精度和穩定性。

        特點

        • 全自動化、智能化集成解決方案

          高度集成全自動化解決方案,覆蓋非常復雜的測試流程
        • 高效率

          提升效率,減少人為參與的潛在風險
          自動切換準直光纖和大面積光電探測器
          測試后自動分揀DUT
        • 維護升級非常簡單

          所有機構件可以獨立返廠
        • 方便使用

          自動告警狀態和提示顯示,
          所有儀器、測試計劃、通過/失敗標準都可以非常方便進行配置

        功能與優勢

        • 全自動化、智能化集成解決方案


        • 上料模組

          本模組由頂針Z模組,X/Y運動模組,藍膜旋轉模組4個子功能模塊組成,左側為校準用底部相機,搭配上方識別相機,和吸嘴運動模組,實現 Chip 的取料功能。
          Chip 包裝的兼容模式: 1個6寸擴晶環。

        • 高溫、常溫測試模組

          本模組由中空旋轉平臺,正反2個3軸Chip校準模組,3軸收光探測模組組成,搭配模組上方的ID/位置識別相機,和探針加電調整模組,完成上料后位置角度的校準工作,和Chip測試加電工作。PD/準直器使用運動軸實現功能快速切換。
          測試臺溫度可根據工藝獨立設定,溫度穩定性<+/-0.2°。

        • 相機、探針加電模組

          設備右側上料相機搭配上料模組,完成Chip的上料識別功能(可根據來料需求搭配不同功能組件) 高/常溫測試模組上方的相機(設備中部),在Chip的上料動作完成后,通過多次拍照搭配3軸運動模組,完成Chip的位置校準(高溫相機同步完成 Chip的ID識別)。
          探針加電調整模組,每組搭配最多3組探針(可選配背光PD子功能模組),不同組合搭配,可實現DFB / EML產品的 LIV/ 消光比等相關參數的測試。

        • 下料分檔模組

          下料模組配置4個載盤放置區域,可支持4個6寸藍膜, 或者根據客戶需求定制兼容的下料載具。
        參數類型 參數名稱 參數指標
        系統參數 芯片類型 支持客戶指定的DFB與EML芯片
        芯片尺寸 長&寬≥150um,高〉80um~150um
        測試溫區 2
        測試項目 半導體激光器芯片前向/后向光學與電學性能
        測試參數 Ith, Se, Iop, Pf, Vf, Kink, Rs, IRoll, λc, SMSR等可根據客戶需求進行增減
        OCR光學識別 自動OCR
        Nip 特殊設計的吸嘴結構,先從料盒剝離,然后吸起
        上料容器 1個6英寸藍膜或者4個Gel Pak(選配)
        下料容器 4個6英寸藍膜或16個Gel Pak(選配)
        分類 支持任何用戶自定義分類
        標準樣品控制 軟件支持標準樣品管控功能。如果標準樣品在本機臺測試超過時間周期(可配置),系統自動告警
        測試配置管控 軟件支持測試配置管控,包括測試儀表,測試算法, 測試序列,測試結果判斷等。
        測試數據 支持用戶要求的所有測試數據/支持MES相關的需求
        電學指標 SMU類型

        聯訊自研高精度源表或其他指定類型

        直流電流 3A
        I/V 源分辨率 10fA/100nV
        I/V 測量分辨率 10fA/100nV最小電源分辨率(6位半)
        電壓范圍 70V
        脈沖電流 10A
        正常工作條件下過充 無EOS
        正常工作條件下下充 無EOS
        異常工作條件下過充 無EOS
        異常工作條件下下充 無EOS
        光學指標 光功率測量探測器類型 Ge
        光功率波長范圍800~1700nm
        光功率測量范圍 10uW-25mW(>25mW可增加衰減片測量)
        光功率測量精度 0.1dB
        光譜測量范圍 1250-1650nm (850 is an option)
        光譜測量精度 0.1nm
        功率耦合效率 耦合功率〉-15dBm@光譜測量
        EA DCER精度 0.2dB
        溫度控制指標 溫度控制方法 TEC
        溫度范圍 25~95℃
        溫度區域 40℃/min
        溫度下降速度 2個獨立的溫度控制區域(雙載臺)
        升溫速度 40℃/分
        降溫速度 40°C/分
        溫度精度 ±0.5°C
        溫度穩定性 ±0.2°C
        測試參數指標 Ith重復性 ±1%
        功率重復性 ±2%
        波長重復性 <±0.2nm
        SMSR 重復性 <3dB
        OCR識別成功率 99%
        測試時間 <6s 完成所有操作,包括:上料、OCR識別、1次LIV 掃描、3次光譜掃描、下料、分類。

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